高盛显著提升了对未来三年全球晶圆厂设备（WFE）支出的高盛工成预测，将2026年至2028年的显著市场规模预期分别上调至1500亿、2180亿和2810亿美元，上调此次上调幅度显著超出先前预期，全球展现出半导体资本开支周期的晶圆进代加速上升趋势。

据追风交易台，厂设测存储先高盛在2026年8月23日发布的备开研究报告中提到：

第二季度的半导体资本开支数据普遍超过预期，加上设备供应商的支预乐观前景展望，共同驱动了此次预测的为主显著修正。

具体来看，动力2026年WFE的高盛工成同比增速预期从32%提高至36%，2027年从32%跃升至45%，显著2028年从12%大幅提升至29%。上调高盛对半导体设备板块的全球总体看法依然乐观，此次预测的晶圆进代上调对设备板块的投资者提供了直接指导，预示着设备制造商的订单能见度将持续改善，行业景气周期有望延续至2028年。

代工：台积电扩产推动先进制程设备需求快速上升

报告将2026至2028年代工领域的WFE预测分别上调至580亿、840亿和1090亿美元，对应的同比增速为45%、45%和30%，均显著高于之前预测的30%、30%和16%。

这主要是受益于台积电的扩产。在此次更新中，台积电2026至2028年的资本开支预测每年增加80亿美元，原因在于N2制程的设备投资强度高于预期，同时客户需求依然旺盛。报告指出，随着N2制程在未来几个季度进入量产爬坡阶段，代工领域的WFE动能将持续强劲，先进逻辑制程是核心推动力。

DRAM：HBM4迁移和产能扩张推动支出持续增长

DRAM领域的上调幅度同样显著。报告将2026至2028年DRAM WFE的预测分别上调至480亿、720亿和970亿美元，同比增速为50%、50%和35%，较之前预测的45%、45%和10%均有提升，尤其是2028年的增速预期显著上调。

分析师Giuni Lee将三星电子2026至2028年的平均DRAM资本开支提升22%，SK Hynix则上调19%。尽管行业整体支出显著增加，但DRAM的供给将仍然偏紧，预计产能约束状态将延续至2028年。

节点制程的迁移及向HBM4的升级是支撑这一判断的关键因素。

NAND：近期以升级改造为主，供给紧张将持续至2027年

相较于DRAM和代工，NAND领域的预测调整相对温和且存在分化。报告将2026年NAND WFE的预测从110亿美元持平于110亿美元，2027年从170亿美元下调至150亿美元，而2028年则从200亿美元上调至220亿美元。

NAND近期的新增支出主要集中在升级改造上，而非大规模新建产能，这一策略将维持供给在紧张状态至2027年。2028年支出的加速则反映了对更长期产能扩张的预期。

逻辑及其他：英特尔复苏与Terafab项目带来超预期增量

逻辑及其他领域的预测在中长期的调整尤为明显。报告将2026至2028年Logic/Other WFE的预测分别上调至340亿、470亿和530亿美元，其中2027年的预测较之前的350亿美元上调34%，而2028年则较之前的370亿美元上调43%。

这一上调主要受两大因素驱动：首先，英特尔的需求好于预期，进而提升了相关资本开支的预测；其次，尾端制程及模拟芯片市场正在复苏。此外，SpaceX与特斯拉已就Terafab项目的初始阶段合计承诺约168亿美元的投资，相关支出已被纳入Logic/Other的预测，成为该细分市场中期增长的重要增量来源。

本文转载自“华尔街见闻”，作者：赵颖；官网编辑：陈思宇。